發布時間:2021-11-02 16:38:14來源:有考培訓網綜合
重慶哪家嵌入式培訓班講得好?NOR Flash支持XIP,即代碼可以直接在NOR Flash上執行,無需拷貝到內存中。這是由于NOR Flash的接口與RAM完全相同,可以隨機訪問任意地址的數據。在NOR Flash上進行讀操作的效率非常高,但是擦除和寫操作的效率很低;另外,NOR Flash的容量一般比較小。
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NAND Flash進行擦除和寫操作的效率更高,并且容量更大。一般而言,NOR Flash用于存儲程序,NAND Flash用于存儲數據。基于NAND Flash的設備通常也要搭配NOR Flash以存儲程序。
Flash存儲器件由擦除單元(也稱為塊)組成,當要寫某個塊時,需要確保這個塊已經被擦除。NOR Flash的塊大小范圍為64KB~128KB;NAND Flash的塊大小范圍為8KB~64KB,擦/寫一個NOR Flash塊需4S,而擦/寫一個NAND Flash塊僅需2ms。
NOR Flash的塊太大,不僅增加了擦寫時間,對于給定的寫操作,NOR Flash也需要更多的擦除操作——特別是小文件,比如一個文件只有1KB,但是為了保存它卻需要擦除大小為64KB~128KB的NOR Flash塊。
NOR Flash的接口與RAM完全相同,可以隨意訪問任意地址的數據。而NAND Flash的接口僅僅包含幾個I/O引腳,需要串行地訪問。NAND Flash一般以512字節為單位進行讀寫。這使得NOR Flash適合于運行程序,而NAND Flash更適合于存儲數據。
容量相同的情況下,NAND Flash的體積更小,對于空間有嚴格要求的系統,NAND Flash可以節省更多空間。市場上NOR Flash的容量通常為1~4MB(也有32MB的NOR Flash),NANDFlash的容量為8~512MB。容量的差別也使得NOR Flash多用于存儲程序,NAND Flash多用于存儲數據。
對于Flash存儲器件的可靠性需要考慮3點:位反轉、壞塊和可擦除次數。所有Flash器件都遭遇位反轉的問題:由于FLASH固有的電器特性,在讀寫數據過程中,偶然會產生一位或幾位數據錯誤——這種概率很低,而NAND Flash出現的概率遠大于NOR Flash。當位反轉發生在關鍵的代碼、數據上時,有可能導致系統崩潰。
當僅僅是報告位反轉,重新讀取即可;如果確實發生了位反轉,則必須有相應的錯誤檢測/恢復措施。在NAND Flash上發生位反轉的概率更高,推薦使用EDC/ECC進行錯誤檢測和恢復。
NAND Flash上面會有壞塊隨機分布,在使用前需要將壞塊掃描出來,確保不再使用它們,否則會使產品含有嚴重的故障。NAND Flash每塊的可擦除次數通常在100000次左右,是NOR Flash的10倍。另外,因為NAND Flash的塊大小通常是NOR Flash的1/8,所以NAND Flash的壽命遠遠超過NOR Flash。
linux對NOR、NAND Flash的軟件支持都很成熟。在NOR Flash上常用jffs2文件系統,而在NAND Flash上常用yaffs文件系統。在更底層,有MTD驅動程序實現對它們的讀、寫、擦除操作,它也實現了EDC/ECC校驗。
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